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真空閉管鎵鋁全擴散工藝；平板型陶瓷管殼冷壓封裝；引入場門極結構；雙面冷卻允許串并聯；電流密度大；最低允許工作溫度Tjmin=‐40℃。

真空閉管鎵鋁全擴散工藝；引入場門極結構；優良的動態特性；開關損耗低、速度快；平板型陶瓷管殼冷壓封裝；雙面冷卻允許串并聯；最低允許工作溫度Tjmin=‐40℃。

真空閉管鎵鋁全擴散工藝；引入場門極結構；優良的動態特性，適用頻率2.5KHZ-20KHZ；平板型陶瓷管殼冷壓封裝；雙面冷卻允許串并聯；最低允許工作溫度Tjmin=‐40℃。

真空閉管硼鋁全擴散工藝；平板型陶瓷管殼冷壓封裝；雙面冷卻；電流密度大；最低允許工作溫度Tjmin=‐40℃。

真空閉管硼鋁全擴散工藝；平板型陶瓷管殼冷壓封裝；雙面冷卻；反向恢復電荷小；具有快速軟恢復特性；最低允許工作溫度Tjmin=‐40℃。

超小體積、超大電流；超薄硅片的精細制造、保護工藝；超薄管殼和無管殼封裝；特殊的多層金屬化歐姆接觸；大功率雪崩特性。

芯片與底板電氣絕緣；國際標準封裝；全壓接結構，優良的溫度特性和功率循環能力；350A以下模塊皆為強迫冷風，400A以上模塊既可選用風冷，也可選用水冷。

芯片與底板電氣絕緣；國際標準封裝；全壓接結構，優良的溫度特性和功率循環能力；400A以下模塊皆為強迫冷風，500A以上模塊既可選用風冷，也可選用水冷。

芯片與底板電氣絕緣；國際標準封裝；全壓接結構，優良的溫度特性和功率循環能力；350A以下模塊皆為強迫冷風，400A以上模塊既可選用風冷，也可選用水冷。

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